半導體材料：

  可控硅模塊的核心芯片通常采用硅（Si）這種半導體材料。硅具備優(yōu)異的電學性能以及良好的熱穩(wěn)定性，能夠承受較高的電壓和電流，從而滿足可控硅在各種不同工作條件下的實際需求。在芯片內(nèi)部，通過特定的摻雜工藝，形成了由 P 型半導體和 N 型半導體交替排列組成的四層結(jié)構(gòu)，也就是 P1 - N1 - P2 - N2，這一結(jié)構(gòu)是可控硅得以實現(xiàn)其獨特功能的基礎(chǔ)所在。

PN 結(jié)：

  上述的四層結(jié)構(gòu)形成了三個 PN 結(jié)，分別是 J1（P1 - N1）、J2（N1 - P2）和 J3（P2 - N2）。這些 PN 結(jié)在不同的電壓條件下會展現(xiàn)出各異的導電特性，它們是可控硅實現(xiàn)導通和截止控制的關(guān)鍵要素。當在可控硅的陽極（A）和陰極（K）之間施加正向電壓，并且在控制極（G）上施加合適的觸發(fā)信號時，J2 結(jié)就會被擊穿，此時可控硅便進入導通狀態(tài)；而當陽極電壓降低或者變?yōu)榉聪螂妷?，并且電流小于維持電流時，可控硅就會恢復到截止狀態(tài)。

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