一、定義與核心優(yōu)勢(shì)：為大功率場(chǎng)景而生

平板式晶閘管屬于普通晶閘管（KP 型）的典型封裝形式，采用 PNPN 四層半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，具備陽(yáng)極（A）、陰極（K）、門極（G）三電極。其核心設(shè)計(jì)在于雙面冷卻平板封裝，通過(guò)全擴(kuò)散工藝與中心放大門極結(jié)構(gòu)，實(shí)現(xiàn)對(duì)高壓大電流的精準(zhǔn)控制。區(qū)別于螺旋式晶閘管的單端散熱，平板式器件可通過(guò)兩個(gè)獨(dú)立散熱器（風(fēng)冷或水冷）夾緊，散熱效率提升 50% 以上，適用于額定電流≥200A 的嚴(yán)苛場(chǎng)景，如中頻爐、高壓變頻器等。

二、技術(shù)特性：結(jié)構(gòu)創(chuàng)新驅(qū)動(dòng)性能突破
封裝與散熱設(shè)計(jì)
  平板陶瓷封裝：全封閉陶瓷 - 金屬結(jié)構(gòu)，兼具絕緣性與機(jī)械強(qiáng)度，適應(yīng)高濕度、多粉塵工業(yè)環(huán)境。
  雙面冷卻技術(shù)：芯片兩側(cè)直接接觸散熱器，形成高效熱傳導(dǎo)路徑，相比單端散熱器件，結(jié)溫均勻性提升 30%，最高工作溫度可達(dá) 150℃。
  中心放大門極：優(yōu)化觸發(fā)靈敏度，降低門極觸發(fā)電流閾值，確保在強(qiáng)電磁干擾下可靠導(dǎo)通，觸發(fā)電流典型值≤50mA。

電氣性能
  電壓與電流等級(jí)：涵蓋 600V 至 8000V 耐壓，單器件最大電流可達(dá) 5000A，滿足從工業(yè)整流到高壓直流輸電的多元需求。
  半控型特性：僅通過(guò)門極正向脈沖觸發(fā)導(dǎo)通，導(dǎo)通后需依賴外部條件（如電流過(guò)零或反向電壓）關(guān)斷，結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單且成本優(yōu)勢(shì)顯著。
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